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用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶ZnO薄膜，在室温下进行光致发光,测量，观察到明显的紫光发射（波长为402nm）和弱的紫外光发射（波长为384nm）_,，紫光发射源于氧空位施主能级到阶带顶的电子跃迁；紫外光发射则源于导带与价带之间的电子跃迁，随着光激发强度的增加，紫光发射强度超线性增强, 且稍有蓝移，而紫外光发光强度则近似线性增加，在氧气中高温退火后，薄膜结晶质量明显提高，紫光发射强度变弱，紫外发光射相对增强。