分子动力学模拟Gd原子在Cu低密勒表面的扩散过程

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hawk_fox
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为了分析Gd吸附原子在Cu(001)、Cu(110)和Cu(111)表面的扩散机制,本文用分子动力学对该扩散过程进行模拟。模拟结果表明在Cu(001)和Cu(111)表面,Gd原子通过跳跃机制扩散;在Cu(110)表面,在[110]方向Gd原子通过跳跃机制扩散,而且多步跳跃频率很高,而在[001]方向则通过交换机制扩散。通过对扩散频率的拟合,发现在各种扩散机制都符合Arrhenius公式,从而确定了在Cu(001)和Cu(111)表面扩散势垒分别为0.19eV和0.013eV,在Cu(110)表面,沿[1
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