薄基区异质结晶体管的负阻特性与分析

来源 :天津大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gaoxianfeng

【摘要】

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采用分子束外延方法生长了8nm基区的InGaP-GaAs双异质结材料，研制成具有负阻特性的异质结晶体管．该晶体管可以集成在高速高频的数字逻辑电路中，大大减少了器件数目．讨论了薄基区

【作者】

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张世林李建恒郭维廉齐海涛梁惠来

【机构】

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天津大学电子信息工程学院

【出处】

：

天津大学学报

【发表日期】

：

2006年1期

【关键词】

：

异质结晶体管负阻特性薄基区电路模拟 heterojunction bipolar transistor negative differential re

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采用分子束外延方法生长了8nm基区的InGaP-GaAs双异质结材料，研制成具有负阻特性的异质结晶体管．该晶体管可以集成在高速高频的数字逻辑电路中，大大减少了器件数目．讨论了薄基区负阻异质结晶体管的负阻特性及其物理机制．器件负阻特性的产生与其结构密切相关，包括导带势垒尖峰和基区宽度负反馈效应．推出了物理公式，并且使用PSPICE模拟软件建立了电路模型．模拟结果符合制作器件的测量结果．

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