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着重研究了甲烷浓度、基体温度等工艺参数对热丝CVD法金刚石薄膜显微结构与性能的影响。基体温度（低于1050℃）越高，甲烷浓度越低，膜中非金刚石碳的含量就越低，金刚石的晶形就越完整，晶粒也越大，因而金刚石薄膜的电阻率、初始氧化温度就越高。金刚石薄膜电阻率随温度升高而线性下降，电阻温度系数达2×1010Ω·cm／’℃。