硅基外延β—SiC薄膜在不同刻蚀气体中的等离子体刻蚀研究

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【摘要】

：

用等离子体刻蚀(PE)工艺,以四氟化碳(CF4)和六氟化硫(SF6)以及它们与氧气(O2)的混合气体作为刻蚀气体分别对Si基外延生长的β-SiC单晶薄膜进行了刻蚀工艺研究.结果表明在同样

【作者】

：

柴常春杨银堂李跃进贾护军

【机构】

：

西安电子科技大学微电子研究所

【出处】

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功能材料

【发表日期】

：

2001年2期

【关键词】

：

等离子体刻蚀刻蚀气体碳化硅薄膜 Plasma etchingThin films

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用等离子体刻蚀(PE)工艺,以四氟化碳(CF4)和六氟化硫(SF6)以及它们与氧气(O2)的混合气体作为刻蚀气体分别对Si基外延生长的β-SiC单晶薄膜进行了刻蚀工艺研究.结果表明在同样刻蚀工艺条件下,以SF6+O2作为刻蚀气体要比以CF4+O2作为刻蚀气体具有更高的刻蚀速率;在任何气体混合比条件下经SF6+O2刻蚀后的样品表面都不会产生富碳(C)表面的残余SiC层;而经CF4+O2刻蚀后的样品表面是否产生富C表面残余SiC层则与气体混合比条件有关,但刻蚀后的样品表面更为细腻.文中还对不同刻蚀气体下的刻蚀

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