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化学机械抛光（CMP）是获得超平滑无损伤铌酸锂基片的有效加工方式。其中抛光液pH值、加工载荷和抛光盘转速是影响铌酸锂基片加工表面质量的重要因素。文章采用田口方法对这3个重要影响因素进行了优化设计，得到以表面粗糙度为评价条件的综合最优抛光参数。实验分析表明，当抛光液pH值为10．8，加工载荷90kPa，抛光盘转速50r／min时，经过3h的抛光后，可以获得超平滑无损伤的铌酸锂基片（Ra为1nm）。