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采用PC1D模拟软件模拟不同少子寿命的硅片条件下电阻率、扩散方块电阻、结深对n-PERC电池性能的影响。结果表明,随着硅片少子寿命的延长,电池效率提高。通过对实际生产中少子寿命和硅片径向不均匀度的研究,得出n-PERC电池使用硅片的最佳少子寿命值。
n型单晶硅衬底少子寿命对n-PERC电池性能的影响
【摘 要】
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采用PC1D模拟软件模拟不同少子寿命的硅片条件下电阻率、扩散方块电阻、结深对n-PERC电池性能的影响。结果表明,随着硅片少子寿命的延长,电池效率提高。通过对实际生产中少子
【出 处】
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太阳能学报
【发表日期】
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2017年11期
【基金项目】
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工信部电子信息产业发展基金(工信部财[2014]425号)
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