【摘 要】
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基于0.18μm互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器工艺提出一种新型的低暗计数率（Dark Count Rate）单光子雪崩二极管（SPAD）器件.该器件是利用P＋/LNW（Light N-well doping）结检测光子,
【机 构】
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湘潭大学物理与光电工程学院,湖南省微光电与系统集成实验室
【基金项目】
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This work was supported by National Natural Science Foundation of China （61233010, 61274043）, and Hunan Provincial Natural Science Fund for Distinguished Young Scholars （2015JJ1014）.
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基于0.18μm互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器工艺提出一种新型的低暗计数率（Dark Count Rate）单光子雪崩二极管（SPAD）器件.该器件是利用P＋/LNW（Light N-well doping）结检测光子,并通过低浓度的N型扩散圆形保护环抑制边缘击穿,确保其工作在盖格模式.测试结果表明在室温环境下,直径为8μm的SPAD器件,雪崩击穿电压为14.2 V,当过调电压设置为2 V时,暗计数率为260 Hz,具有低的暗计数率特性.
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