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采用离心倾液法研究过共晶Al-Si合金初晶Si的生长形貌时发现,初晶Si存在生长台阶,台阶的高度为数十至数百微米,从初晶Si根部至尖端,台阶的高度逐渐变小,初晶Si存在位错台阶生长机制。这一生长机制能够形成棱柱体或棱锥体、八面体和球形初晶Si,以及产生初晶Si的分枝和形成初晶Si的生长迹线。