太阳能材料CuInS2的晶体结构、电子和光学特性

来源 :原子与分子物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ISE7ENAK

【摘要】

：

用全电势线性缀加平面波法加局域轨道方法调查了黄铜矿半导体CuInS2的结构、电子和光学特性.我们计算的带隙0.17 eV是直接的,其它实验和理论也表明这种材料有一个直接带隙.在

【作者】

：

张向丹乔庆鹏余功奇张宪周

【机构】

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新乡学院物理系,河南新乡,453000河南教育学院物理系,郑州,450046;第二炮兵指挥学院;河南师范大学物理与信息工程学院,新乡,453007;

【出处】

：

原子与分子物理学报

【发表日期】

：

2014年3期

【关键词】

：

半导体化合物电子带结构光学特性 Semiconductor compound Electronic structure Optical properties

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用全电势线性缀加平面波法加局域轨道方法调查了黄铜矿半导体CuInS2的结构、电子和光学特性.我们计算的带隙0.17 eV是直接的,其它实验和理论也表明这种材料有一个直接带隙.在In 4d和S3p轨道之间有相当强的杂化,构成了(InS2)4+阴离子.我们计算的反射率光谱,介电函数的实部和虚部,消光系数和折射率和实验结果取得了很好的一致.

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