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分析了利用深亚微米CMOS工艺进行射频集成电路设计的方法,在此基础上设计出了采用标准0.35 μm CMOS工艺的输出频率在1.9 GHz的上变频器,它可以用在WCDMA发射/接收机中．整个设计利用SPICE软件和HP ADS软件进行电路和系统模拟,模拟结果：三阶互调IIP3为10 dBm,转换增益大于10 dB．已经利用Cadence工具进行版图设计和验证, 最后通过美国MOSIS工程流片．芯片面积大约为0.6 mm2．目前初步的性能测试已经完成．芯片混频效果良好．在单电源+3.3 V供电情况下,功耗小