【摘 要】
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采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)工艺在普通玻璃和Si基上制备出了方块电阻低至89Ω,可见光透过率高达79%,对基体附着力强的多晶态的AZO(ZnO:Al)薄膜.采用PECVD法制备AZO
【机 构】
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华中科技大学电气与电子工程学院核聚变与电磁新技术教育部重点实验室,
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采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)工艺在普通玻璃和Si基上制备出了方块电阻低至89Ω,可见光透过率高达79%,对基体附着力强的多晶态的AZO(ZnO:Al)薄膜.采用PECVD法制备AZO薄膜是一种有益的尝试,AZO透明导电薄膜不仅具有与ITO(透明导电薄膜,如In2O3:Sn)可比拟的光电特性,而且价格低廉、无毒,在氢等离子体环境中更稳定,所获结果对实际工艺条件的选择具有一定借鉴作用和参考价值.
The PECVD (Polycrystalline Enhanced Chemical Vapor Deposition) process was used to fabricate polycrystalline AZO (ZnO: Al) with low sheet resistance of 89Ω and visible light transmittance of 79% on ordinary glass and Si substrate. ) Thin films.Preparation of AZO thin films by PECVD is a beneficial attempt, AZO transparent conductive film not only has the photoelectric properties of ITO (transparent conductive film, such as In2O3: Sn), but also inexpensive, non-toxic, hydrogen plasma Body environment more stable, the results obtained on the actual choice of process conditions have some reference and reference value.
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