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多孔硅与硅材料相比,有明显的可见光致发光特性,其原理可用量子限制模型给予解释.文章通过对多孔硅的光致发光、光电子辐射、光电效应和X光吸收方面的实验的讨论,研究了退火对多孔硅导带和价带边缘的量子漂移破的影响.对于大多数多孔硅,过高的退火温度可造成多孔硅的导带和价带边缘的量子漂移的改变.
多孔硅的能带变化及光致发光的研究
【摘 要】
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多孔硅与硅材料相比,有明显的可见光致发光特性,其原理可用量子限制模型给予解释.文章通过对多孔硅的光致发光、光电子辐射、光电效应和X光吸收方面的实验的讨论,研究了退火
【机 构】
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辽宁大学物理系
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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2004年4期
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