【摘 要】
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文章提出了一种采用延迟单元交错耦合压控振荡器(VCO)和高速双系数前置分频器的锁相环(PLL)频率合成器设计方法.采用0.25 μm的CMOS工艺模型,在Cadence环境下模拟,在相同级数
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文章提出了一种采用延迟单元交错耦合压控振荡器(VCO)和高速双系数前置分频器的锁相环(PLL)频率合成器设计方法.采用0.25 μm的CMOS工艺模型,在Cadence环境下模拟,在相同级数情况下,设计获得的VCO比传统顺序连接的VCO速度快1.4倍;运用动态D触发器实现的双系数前置分频器,最高速度可达2 GHz.该锁相环频率合成器在400 MHz～1.1 GHz的宽频范围内都能保持良好的相位跟踪特性,温度系数为886 ppm/℃,电源反射比为3.3%/V.
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