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高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度

来源 :功能材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fresco_xp

【作 者】

：

李弋  刘斌  谢自力  张荣  修向前  江若琏  韩平  顾 

【出 处】

：

功能材料

【发表日期】

：

2008年08期

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