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介绍了一种新型的半导体断路开关，它采用P^+-P-N-N^+的半导体结构，可完成亚ns级的关断，关断电流达数kA、承受反向电压达百kV、重复频率达数kHz。在介绍SOS结构和主要特性的基础上，还介绍了基于SOS的脉冲功率发生器的研究和发展现状。
半导体断路开关及其应用
【摘 要】
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介绍了一种新型的半导体断路开关，它采用P^+-P-N-N^+的半导体结构，可完成亚ns级的关断，关断电流达数kA、承受反向电压达百kV、重复频率达数kHz。在介绍SOS结构和主要特性的基础
【机 构】
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中国科学院电工研究所
【出 处】
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高电压技术
【发表日期】
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2002年B12期
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