【摘 要】
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研究退火温度对薄膜相结构、表面化学组成、形貌及光学性能的影响。采用射频磁控溅射法在单晶硅片和石英玻璃片上负载TiO2薄膜，通过X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、X光电子能
【机 构】
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安徽大学物理与材料科学学院,安徽大学光电信息获取与控制教育部重点实验室
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研究退火温度对薄膜相结构、表面化学组成、形貌及光学性能的影响。采用射频磁控溅射法在单晶硅片和石英玻璃片上负载TiO2薄膜，通过X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、X光电子能谱（XPS）和紫外可见光谱（UV-vis）对其进行表征。结果表明，常温制备400℃以下退火的Ti02薄膜为无定形结构，400℃以上退火的TiO2薄膜出现锐钛矿相，600℃以上退火的TiO2薄膜开始出现金红石相，退火温度在1000℃以上时样品已经完全转变为金红石相；高温退火薄膜的组成为TiOx;随着退火温度的升高，薄膜透射率下降
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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技
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