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用射频等离子体增强热丝化学气相沉积（ＲＦ－ＨＦＣＶＤ）技术在Ｓｉ，Ｎｉ衬底表面合成了ｃ－ＢＮ膜，结果表明，热丝温度，衬底温度等工艺参量及衬底材料的结构特性是影响ｃ－ＢＮ薄膜生长的主要因素。
立方氮化硼（c—BN）薄膜生长特性研究
【摘 要】
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用射频等离子体增强热丝化学气相沉积（ＲＦ－ＨＦＣＶＤ）技术在Ｓｉ，Ｎｉ衬底表面合成了ｃ－ＢＮ膜，结果表明，热丝温度，衬底温度等工艺参量及衬底材料的结构特性是影响ｃ－ＢＮ薄膜生长的主要因素。
【机 构】
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浙江大学物理系
【出 处】
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浙江大学学报(理学版)
【发表日期】
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2000年4期
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