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实验发现某些UV-110硅紫外增强型光伏探测器件的开路电压值随入射光强增大反而下降,在一定入射光强下出现峰值.实验和理论分析指出,这种异常光电特性的产生是由于器件中存在一个与主结方向相反的寄生PN结,寄生结是Al电极和n-Si衬底之间合金化工艺控制不当而引入的肖特基结.
硅紫外增强光伏探测器件中的异常光电特性
【摘 要】
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实验发现某些UV-110硅紫外增强型光伏探测器件的开路电压值随入射光强增大反而下降,在一定入射光强下出现峰值.实验和理论分析指出,这种异常光电特性的产生是由于器件中存在
【机 构】
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武汉大学物理科学与技术学院
【出 处】
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光电子技术
【发表日期】
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2004年1期
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