电子轰击下Ag1—β(TCNQ)薄膜的相变

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在类似于光导摄像管的真空器件中,用Ag1-β(TCNQ)薄膜置换光敏靶,原则上可以做成用电子束写入和读出的高密度存贮器,它的寻址可以用磁偏转或静电偏转系统。本文用实验方法确定了电子束的写入条件,进一步证明这种设想的合理性和可行性。
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