【摘 要】
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非平庸的能带拓扑性与磁性结合可以产生丰富的量子现象,包括量子反常霍尔效应、轴子绝缘体态等.不同于磁性掺杂和异质结方案,内禀磁性拓扑绝缘体避免了掺杂带来的无序,且制备工艺通常比异质结更加简单,因此对研究和利用磁性拓扑绝缘体都有重要的意义.最近,EuIn2As2被认为是内禀反铁磁轴子绝缘体,本文使用低温扫描隧道显微镜研究了它的解理表面的原子排布和电子结构.结合原子分辨形貌图、晶格对称性分析以及局域态密度等信息,认为观测到的表面条纹结构来源于Eu截止面50%覆盖度的1
【机 构】
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中国科学院物理研究所,中国科学院大学物理科学学院,松山湖材料实验室,康奈尔大学物理系,中国科学院大学材料科学与光电技术学院
【基金项目】
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国家重点研发计划(批准号:2016YFA0300602,2016YFA0302400,2017YFA0302903),国家自然科学基金(批准号:11227903),北京市科学技术委员会(批准号:Z181100004218007,Z191100007219011),国家重点基础研究发展计划(批准号:2015CB921304),中国科学院战略优先研究项目(批准号:XDB07000000,XDB2800
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非平庸的能带拓扑性与磁性结合可以产生丰富的量子现象,包括量子反常霍尔效应、轴子绝缘体态等.不同于磁性掺杂和异质结方案,内禀磁性拓扑绝缘体避免了掺杂带来的无序,且制备工艺通常比异质结更加简单,因此对研究和利用磁性拓扑绝缘体都有重要的意义.最近,EuIn2As2被认为是内禀反铁磁轴子绝缘体,本文使用低温扫描隧道显微镜研究了它的解理表面的原子排布和电子结构.结合原子分辨形貌图、晶格对称性分析以及局域态密度等信息,认为观测到的表面条纹结构来源于Eu截止面50%覆盖度的1
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