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研制成GaAs/InGaAs异质结功率FET(HFET),该器件是在常规的高-低-高分布GaAsMESFET的基础上,在有源层的尾部引入i-INGaAs层。采用HEFT研制的两级C波功率放大器,在5.0-5.5Ghz带内,当Vds=5.5v时,输出功率大于32.31dBm(0.177W/mm),功率增益大于19.3dB,功率附加效率(PAE)大于38.7%,PAE最大达到49.4%,该放大器在Vds=9.0V时,输出功率大于36.65dBm(0.48w/mm),功率增益大于21.6dB,PAE典型值35%