光固化后用气压烧结Si3N4陶瓷的显微组织和力学性能影响

来源 :中国陶瓷 | 被引量 : 0次 | 上传用户：du_info26

【摘要】

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选用CeO2和Yb2o3两种不同的烧结助剂,用光固化后气压烧结制备了高致密的Si3N4陶瓷材料.在相同的烧结温度下,用CeO2烧结试样中的β-Si3N4的晶粒尺寸比用Yb2O3为烧结助剂制备的

【作者】

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文如泉李德智占丽娜刘耀胡文廖建波刘绍军

【机构】

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萍乡学院机械电子工程学院,萍乡330073;中南大学粉末冶金研究院,长沙410083

【出处】

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中国陶瓷

【发表日期】

：

2020年12期

【关键词】

：

Si3N4陶瓷光固化气压烧结显微组织力学性能

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选用CeO2和Yb2o3两种不同的烧结助剂,用光固化后气压烧结制备了高致密的Si3N4陶瓷材料.在相同的烧结温度下,用CeO2烧结试样中的β-Si3N4的晶粒尺寸比用Yb2O3为烧结助剂制备的试样的晶粒尺寸要大.其中:在1 750 ℃,1 0 MPa条件下制备出了致密度到＞95.8％Si3N4基陶瓷,力学性能分别为:σmax=715.83±15.26 MPa、HV=14.16±0.43 MPa、KIC=8.03 MPa· m1/2.

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