【摘 要】
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本文通过对上变频边带抑制和下变频时镜频抑制原理分析,通过集成开关对中频电桥的隔离端进行切换,来改变中频电桥对IQ信号的相位合成关系,保证了在发射和接收时,始终保持对同一个边带的抑制功能和另一个边带的合成功能,最终实现了可用于收发系统的镜像抑制混频器芯片,本振频率范围17-20GHz,射频频率范围14-17GHz,中频频率范围3-4GHz。芯片基于GaAspHEMT工艺开发完成,芯片尺寸为2.25m
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本文通过对上变频边带抑制和下变频时镜频抑制原理分析,通过集成开关对中频电桥的隔离端进行切换,来改变中频电桥对IQ信号的相位合成关系,保证了在发射和接收时,始终保持对同一个边带的抑制功能和另一个边带的合成功能,最终实现了可用于收发系统的镜像抑制混频器芯片,本振频率范围17-20GHz,射频频率范围14-17GHz,中频频率范围3-4GHz。芯片基于GaAspHEMT工艺开发完成,芯片尺寸为2.25mm*1.50mm*0.10mm。测试结果显示,频带内镜像抑制度大于20dBc,边带抑制度大于20dB,很
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