倒装芯片封装电迁移失效仿真研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yygyogfny

【摘要】

：

随着电子封装发展趋于微型化,由倒装芯片封装的电迁移失效而引起的可靠性问题日益严重.运用ANSYS软件建立了倒装芯片三维封装模型,仿真计算得到电-热-力多物理场耦合下互连结构的温度分布、电流密度分布、焦耳热分布和应力分布,深入研究了焊球材料和铜布线结构及铜布线尺寸对电迁移失效的影响,结果表明优化后的电流密度缩小了4倍,电迁移失效寿命提高了8.4倍.

【作者】

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孟媛蔡志匡徐彬彬王子轩孙海燕郭宇锋

【机构】

：

南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室,电子与光学工程学院、微电子学院,南京,210003;南京邮电大学南通研究院有限公司,江苏,南通,226002;南通大学专用集成电路设计重点实验室

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2021年5期

【关键词】

：

倒装芯片封装可靠性电流密度电迁移

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