一种低噪声SiGe微波单片放大电路

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介绍了一种利用SiGe技术制作的低噪声SiGe微波单片放大电路(MMIC)。该电路以达林顿结构的形式级联,由两个异质结双极型晶体管(HBT)和4个电阻组成;HBT采用准自对准结构,其SiGe基区为非选择性外延。在1GHz频率下,电路噪声为1.59dB,功率增益为14.3dB,输入驻波比为1.6,输出驻波比为2.0。
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