【摘 要】
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基于本实验室的实验条件,采用射频磁控溅射、等离子干法刻蚀等技术成功制备出具有ZnO∶Ga(GZO)透明电极的LED芯片。实验研究了相同工艺条件制备的ITO透明电极LED芯片和GZO透
【机 构】
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上海大学新型显示及应用集成教育部重点实验室; 上海大学机电工程与自动化学院;
【基金项目】
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上海市科技委员会科技攻关光电子专向(08DZ1140603,08QH14007);国家自然基金(50675130);教育部科学技术司“新世纪优秀人才支持计划”项目(NCET-07-0535)
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基于本实验室的实验条件,采用射频磁控溅射、等离子干法刻蚀等技术成功制备出具有ZnO∶Ga(GZO)透明电极的LED芯片。实验研究了相同工艺条件制备的ITO透明电极LED芯片和GZO透明电极LED芯片,对比实验结果表明GZO薄膜沉积工艺简单,其器件性能与ITO电极LED相当。相同条件下制备的GZO薄膜可见光波段透过率约90%,而ITO仅为75%。实验室制备的LED器件均具有较高的阈值电压,一方面p-GaN与ZnO的禁带宽度相差4.13 eV,接触势垒大,另一方面器件制备过程中的等离子体损伤薄膜表面和器件性能。
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