论文部分内容阅读
报道了两种动态局域畸变引起的内耗，第一种是在二级结构相变点Ｔｃ处可以测到一个很高而又很窄的低频（＜ＭＨｚ）内耗峰，它归因于涨落效应，即应力诱发并导致动态新相畸变区的择优取向．第二种是高温超导氧化物在正常态区内耗（ｋＨｚ）有一很高的背景平台（Ｑｐ－１），在Ｔｃ以下随温度迅速下降．ＹＢａＣｕＯ的Ｑｐ－１随氧含量的减少（或掺Ｐｒ量的增加）而降低．结合霍耳系数测量结果，获得了Ｑｐ－１正比于载流子浓度（ｎＨ）的关系．Ｑｐ－１的起源可归因于载流子周围的动态局域畸变（类极化子）．考虑了能隙边的宽化，从Ｑｐｓ－１／Ｑｐｎ