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介绍了一种EEPROM存储阵列单Block电路，可以降低RFIDTAG存储阵列电路的漏电流．采用EEPROM嵌入式0．18μm工艺，工作电压1．8V．改进后的电路每个存储单元可以降低最大8μA的漏电流．
0.18μm工艺小规模嵌入式EEPROM存储阵列单Block电路
【摘 要】
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介绍了一种EEPROM存储阵列单Block电路，可以降低RFIDTAG存储阵列电路的漏电流．采用EEPROM嵌入式0．18μm工艺，工作电压1．8V．改进后的电路每个存储单元可以降低最大8μA的漏电流．
【机 构】
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南开大学微电子研究所
【出 处】
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南开大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2011年6期
【基金项目】
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天津市科技发展计划项目(09ZCKFGX00900)
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