硅中与钯相关的深能级的研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：rocxdp

【摘要】

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本文采用多种硅材料,对扩Pd快速淬火在硅中引入的两个与Pd相关的新能级E_A(E_c-0.37eV)、E_B(E_c-0.59eV)进行了系统的实验研究,结果进一步支持了E_A和E_B属于同一缺陷的不同

【作者】

：

傅建明王占国万寿科林兰英

【机构】

：

中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所北京,北京,北京

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1989年5期

【关键词】

：

硅钯深能 Si Pd Deep level

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本文采用多种硅材料,对扩Pd快速淬火在硅中引入的两个与Pd相关的新能级E_A(E_c-0.37eV)、E_B(E_c-0.59eV)进行了系统的实验研究,结果进一步支持了E_A和E_B属于同一缺陷的不同能量状态的看法,但发现缺陷的微观构成与B无直接关联,而很可能同间隙Pd与硅中本征空位缺陷形成的络合物相关.

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