1/f噪声检测MOSFET静电潜在损伤的理论基础

来源 :西安电子科技大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：stat2009

【摘要】

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分析了MOSFET静电损伤的机理,发现在静电应力期间,随着应力次数的增加,在SiO2体内和Si/SiO2界面同时产生潜在损伤积累.Si/SiO2界面较SiO2层体内更容易产生缺陷,而且缺陷浓度

【作者】

：

马仲发庄奕琪杜磊薛丽君万长兴施超

【机构】

：

西安电子科技大学

【出处】

：

西安电子科技大学学报

【发表日期】

：

2002年5期

【关键词】

：

静电潜在损伤无损检测 1/f噪声逾渗

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分析了MOSFET静电损伤的机理,发现在静电应力期间,随着应力次数的增加,在SiO2体内和Si/SiO2界面同时产生潜在损伤积累.Si/SiO2界面较SiO2层体内更容易产生缺陷,而且缺陷浓度更大.用逾渗理论模拟了MOSFET中1/f噪声与边界陷阱浓度的关系,得出了与实验相一致的定性结果,为MOSFET静电潜在损伤的沟道漏源电流1/f噪声检测方法提供了理论依据.

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