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利用脉冲激光沉积（ pulsed laser depositon， PLD）方法在YSZ（ Y2 O3 stabilised zirconia）单晶衬底上外延生长了Gd掺杂的CeO2薄膜（gadolinium doped CeO2，GDC）。利用透射电子显微镜（TEM）对GDC／YSZ界面以及GDC薄膜内部的位错结构进行了表征。实验发现，界面处存在周期性分布的失配位错，界面失配主要通过失配位错释放。 GDC薄膜内部存在两种不同的位错，其中一种为纯刃型位错，另外一种为混合型位错。