磁控溅射偏压对Zr-Si—N扩散阻挡层组织结构的影响

来源 :中国有色金属学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：junyuan__zhang

【摘要】

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用反应磁控溅射法在不同偏压下沉积了Zr-Si-N扩散阻挡层.结果表明:Zr-Si-N膜的成分、电阻率和结构均随偏压的改变而不同;随着溅射偏压的增加,Zr-Si-N膜的表面粗糙度值增大;Zr

【作者】

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宋忠孝徐可为陈华

【机构】

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西安交通大学

【出处】

：

中国有色金属学报

【发表日期】

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2004年3期

【关键词】

：

Zr-Si-N 扩散阻挡层组织结构磁控溅射偏压集成电路 Zr-Si-N diffusion barrier bias microstructure

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用反应磁控溅射法在不同偏压下沉积了Zr-Si-N扩散阻挡层.结果表明:Zr-Si-N膜的成分、电阻率和结构均随偏压的改变而不同;随着溅射偏压的增加,Zr-Si-N膜的表面粗糙度值增大;Zr/Si比值也随着偏压的增加而增大;电阻率随偏压的增加显著降低;Zr-Si-N膜的结构为类似Si3N4的氮硅化物非晶相与ZrN组成的复合结构,随着偏压的升高ZrN由非晶转变为纳米晶,而且ZrN晶体相增加.

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