【摘 要】
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本文从理论上分析了硅剪切压阻系数的择优取向,以及在矩形、方形和圆形弹性膜片上欲获得较大剪应力,电阻条的布局原则。利用本文提供的方法,对某些膜片上的四端应变电阻所进
【机 构】
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华中理工大学固体电子学系,华中理工大学固体电子学系,华中理工大学固体电子学系
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本文从理论上分析了硅剪切压阻系数的择优取向,以及在矩形、方形和圆形弹性膜片上欲获得较大剪应力,电阻条的布局原则。利用本文提供的方法,对某些膜片上的四端应变电阻所进行的布局分析与Kanda用有限差分法计算出来的布局结果基本一致。文中还提出了膜片上一些新的布局,供设计者选用。
In this paper, the preferred orientation of the piezoresistive coefficient of silicon shear and the layout principle of resistive strips for obtaining larger shear stress on rectangular, square and circular elastic diaphragms are theoretically analyzed. Using the method provided in this paper, the layout analysis of the four-terminal strain resistance on some of the diaphragms is basically the same as that of Kanda’s finite-difference method. The paper also proposed some new layout on the diaphragm for designers to choose.
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