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B-N共掺p型ZnO薄膜的制备及性质研究

来源 :吉林师范大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：hzau1
【摘 要】
：
利用射频磁控溅射技术用N2和02作为溅射气体在石英沉底上制备了B-N共掺的P型ZnO薄膜．Hall测量结果表明，室温电阻率、载流子浓度、迁移率分别为2．3D．cm，1．2×10^17cm^-3，11cm^2／Vs
【作 者】
：
隋瑛锐 姚斌 杨景海 
【机 构】
：
吉林师范大学物理学院,吉林大学物理学院
【出 处】
：
吉林师范大学学报(自然科学版)
【发表日期】
：
2010年1期
【关键词】
：
射频磁控溅射 ZNO薄膜 B-N共掺 magnetron sputtering  ZnO film  B-N codoped 
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利用射频磁控溅射技术用N2和02作为溅射气体在石英沉底上制备了B-N共掺的P型ZnO薄膜．Hall测量结果表明，室温电阻率、载流子浓度、迁移率分别为2．3D．cm，1．2×10^17cm^-3，11cm^2／Vs．制备了ZnO基同质p-n结，研究了它们的I—V特性．探讨了B—N共掺的P型ZnO薄膜低温光致发光的微观机制．同时阐明了B—N共掺的P型ZnO薄膜的导电机制．
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