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利用射线法和平均载流子分布近似，从理论上预言了用阈值以下半导体激光器的端面输出谱来确定自发辐射谱的可能性。在此基础上，通过实验测得的阈值以下半导体激光器的端面输出谱确定了自发辐射谱，并且对自发辐射谱和增益谱进行了比较和分析。
由半导体激光器端面输出谱确定自发辐射谱
【摘 要】
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利用射线法和平均载流子分布近似，从理论上预言了用阈值以下半导体激光器的端面输出谱来确定自发辐射谱的可能性。在此基础上，通过实验测得的阈值以下半导体激光器的端面输出谱
【机 构】
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四川大学光电系,西南师范大学物理系
【出 处】
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光学学报
【发表日期】
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1995年8期
【基金项目】
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国家教委留学回国人员基金,四川省科委资助
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