半导体激光根管内照射即刻杀菌效应及其影响因素的初步研究

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目的研究半导体激光对根尖周炎常见致病细菌的杀菌效果及其影响闪索。方法川半导体激光对离体牙根管内细菌悬液进行照射,采用不同照射功率或照射时问,计算其杀菌率。结果激光输出功率1.5w时,照射1、3、5min时,杀菌率分别为53.10%、75.18%、90.55%;照射1min.输Hj功率为2.0、2.5、3.0W时,杀菌率分别为56.66%、78.65'9A,、80.80%。结论半导体激光对根管内实验细菌有一定的杀火作用,H.随着照射功率或时间的增大或延长而增强。
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