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在本文中我们首次报道了p型掺杂的自组织Si／Ge量子点中空穴能级子带间的电子拉曼散射。此电子跃迁的能量为105meV。Si／Ge量子点Ge-Ge模的共振拉曼散射表明此空穴能级间的电子拉曼散射与Γ点附近的E0(≈2．52eV)发生了共振，而E1的能量小于2．3eV．变温实验和偏振实验进一步证实了我们的指认。所有观测的实验数据与6-band k·p能带结构理论的计算结果吻合得很好。