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介绍了在谐振器结构释放后的干燥过程中，采用的一种有效的、防粘附的方法－－升华法。在升华法的基础上，开发了充分置换升华法，对若干种释放方法进行实验、比较，确定了充分置换法的更优性；并找出了影响分离长度的因素，为提高结构释放产品率奠定了基础。
用升华法释放表面硅工艺中的悬浮结构
【摘 要】
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介绍了在谐振器结构释放后的干燥过程中，采用的一种有效的、防粘附的方法－－升华法。在升华法的基础上，开发了充分置换升华法，对若干种释放方法进行实验、比较，确定了充分置换法的更
【机 构】
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北京大学微电子所
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2002年9期
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