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在多晶硅薄膜（Poly—Si）生长理论的基础上，用等离子体化学气相沉积（RF—PECVD）系统，配合快速光热退火装置（RTP），在玻璃衬底和石英衬底上制备了柱状结构的多晶硅薄膜。借助于扫描电子显微镜（SEM）等测试手段，对薄膜的表面形貌和断面形貌进行了分析。结果发现：（1）柱晶的形成对薄膜的厚度有一定要求，而且薄膜越厚，柱晶直径越容易长得更大。本实验中，薄膜厚度达到2．5μm左右时，柱晶直径达到了1．5μm以上；（2）再结晶过程是从靠近光源的薄膜表面开始进而到薄膜内部的。再次说明RTP中再结晶的发生，与光