退火温度对Ni51.33Mn33.23In15.43薄膜微观结构和磁性能的影响

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【摘要】

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采用射频磁控溅射方法在Si（100）衬底沉积Ni-Mn-In磁性形状记忆合金薄膜。系统研究了退火温度对Ni51.33Mn33.23In15.43薄膜显微组织结构和磁性能的影响。研究表明,退火温度为873

【作者】

：

徐杰高丽马骏驰宋秋红王皓辉

【机构】

：

上海海洋大学工程学院

【出处】

：

功能材料

【发表日期】

：

2016年6期

【关键词】

：

铁磁形状记忆合金 Ni-Mn-In薄膜磁控溅射显微结构磁性能 ferromagnetic shape memory Ni-Mn-In thin film

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采用射频磁控溅射方法在Si（100）衬底沉积Ni-Mn-In磁性形状记忆合金薄膜。系统研究了退火温度对Ni51.33Mn33.23In15.43薄膜显微组织结构和磁性能的影响。研究表明,退火温度为873K时薄膜已完全结晶,随退火温度增加,薄膜表层颗粒细化。退火后薄膜的X射线衍射图表明,Ni51.33Mn33.23In15.43薄膜均由立方L21奥氏体母相和14M调制马氏体相组成。Ni51.33Mn33.23In15.43薄膜母相晶格常数、马氏体相的晶胞体积和薄膜平均晶粒尺寸均随退火温度增加而增大。Ni51

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