【摘 要】
:
场发射显示(FED)被认为是CRT的平板化,受到人们关注。作者采用直流磁控溅射法,在Al2O3过渡层上制备面心立方结构的Ag多晶薄膜。通过XRD、SEM、AFM测试分析发现,溅射功率分为两
【基金项目】
:
基金项目:国家“863”计划平板显示重大专项(2008AA03A313),福建省重大科技专项(2004HZ01-2),福州大学博士基金(826369)资助项目
论文部分内容阅读
场发射显示(FED)被认为是CRT的平板化,受到人们关注。作者采用直流磁控溅射法,在Al2O3过渡层上制备面心立方结构的Ag多晶薄膜。通过XRD、SEM、AFM测试分析发现,溅射功率分为两个区域,在溅射功率不高于2.8kW时,沉积速率随着功率线性增大,得到Ag膜晶粒尺寸均一,薄膜电阻率逐步降低;溅射功率高于2.8kW后,沉积速率没有显著增大,出现较多的大晶粒,电阻率升高,并且从理论上给出了解释。综合来看,溅射功率在2.8kW所制备的Ag膜微观结构质量达到最佳,电阻率也达到最小值。
其他文献
采用电化学沉积方法在n型InP(100)(1016)衬底上制备了氧化锌薄膜。探索线性扫描伏安法确定InP与0.1mol/L Zn(NO3)2电解液的体系中沉积氧化锌的极化电势,在20℃溶液中,相对于甘汞电极(SCE
利用稳态荧光光谱和时间分辨光谱方法研究了稀土夹心双酞菁铽衍生物(TbPcPc^*)氯仿溶液的荧光特性,分析了激发波长、溶液浓度对荧光特性的影响。TbPcPc^*氯仿溶液在707nm处有一强
p-type技术能够简化低温多晶硅TFT的制作过程。基于这个原因,本文提出了一种改进的利用p-type多晶硅TFT构成的移位寄存器结构,它可以作为AMOLED或者AMLCD外围驱动电路的一部分
报道以块状氧化锌陶瓷为培养料,KOH、LiOH和H2O2的混合水溶液为矿化剂体系,采用水热法生长出尺寸为30mm×38mm×8mm的氧化锌晶体。氧化锌晶体+c(0001)和-c(000^-1)方向的生
研究了GaN肖特基结构(n^--GaN/n^+-GaN)紫外探测器的结构参数对器件性能的影响机理。模拟计算结果表明:提高肖特基势垒高度和减小表面复合速率,不仅可以增加器件的量子效率,而且
有机电致发光器件(OLED)已成为平板显示、照明等领域的研究热点。针对已报道的蓝光材料相对短缺,合成了一种新型希夫碱硼配合物蓝光发射材料,其可由N,N’-二(2-羟基-3-甲氧基苯甲醛
TiO2具有良好的光学、电学和化学性质,锐钛矿相TiO2具有更突出的光催化特性,是一种有广泛用途的宽禁带氧化物半导体。利用基于密度泛函理论的第一原理全电势线性缀加平面波方
研究了MEH—PPV薄膜的放大自发发射特性。当激发强度增加时,从样品边缘发射的光谱发生增益窄化现象并具有明显的阈值特性。我们发现随着薄膜厚度的增加,MEH—PPV薄膜的阈值有所
采用电子束蒸发沉积成膜工艺在单晶si(111)衬底上制备出Co,Cu共掺杂的Zn0.85-xCo0.15CuxO(x=0,0.04,0.06)多晶膜。采用X射线衍射(XRD)研究了Co、Cu掺杂对其微结构的影响;室温下测量了Zn0.8