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设计了斜面结构碳化硅肖特基二极管（4H-SiC SBD）并且在器件中加入场环结构,通过基于半导体物理理论的计算机辅助设计软件（Silvaco-TCAD）分析计算了常规结构和新结构SiC-SBD器件的V-I特性、击穿电压、温度热学分布。对比计算结果,可知新结构SiC-SBD器件击穿电压提高至2300 V,导通电阻减小,温度热学分布明显优于常规结构SiC-SBD器件。