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K3C60晶体中的电子屏蔽效应
K3C60晶体中的电子屏蔽效应
来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:bai1988ping
【摘 要】
:
用屏蔽的静电库仑相互作用势,引入各离子的屏蔽参数,并考虑离子间的短程相互作用,计算了K3C60晶体中各离子和原胞的结合能随屏蔽参数的变化.分析计算表明K3C60晶体中电子的屏
【作 者】
:
刘红
陈宗璋
彭景翠
白晓军
【机 构】
:
南京大学物理系,南京,210093湖南大学化学化工学院,长沙,410082;湖南大学应用物理系,长沙,410082;广东工业大学材料系,广州,510090;
【出 处】
:
物理学报
【发表日期】
:
2000年3期
【关键词】
:
晶体结构
电子屏蔽效应
屏蔽参数
钾离子
短程相互作用
相互作用势
离子势能
计算表
四面体
结合能
空隙
静电
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用屏蔽的静电库仑相互作用势,引入各离子的屏蔽参数,并考虑离子间的短程相互作用,计算了K3C60晶体中各离子和原胞的结合能随屏蔽参数的变化.分析计算表明K3C60晶体中电子的屏蔽主要是指对钾离子势能的屏蔽,特别是对四面体空隙中的钾离子K+T,虽然屏蔽参数很小,但对晶体结构的稳定极为重要.
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