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利用GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅控特性和铁电体的光伏效应机制,制备了一种新型(光敏感层/HEMT)光探测器件.主要研究了复合薄膜和溅射气氛对光敏感薄膜的光伏性能以及对新型感光栅极探测器的光探测能力的影响.结果表明,PZT/ZnO复合薄膜的量子效率峰值达到14.55％;有氧氛围下制备的PZT薄膜剩余极化强度达到52.31 μC/cm2;沉积PZT/ZnO复合薄膜的探测器在紫外光照下相比于暗场下的源漏饱和电流最多增加12.64 mA.可见,所制备的新型探测器对紫外光具有优良的探测能力,为光探测的研究提供了新的方向.