【摘 要】
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用液相外廷获得了与InP晶格匹配的Ga_(0.47),In_(0.53)As单晶外延层.本文叙述在(100)和(111)InP衬底上Ga_(0.47)In_(0.53)As/InP液相外延生长方法.用常规滑动舟工艺生长的这
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用液相外廷获得了与InP晶格匹配的Ga_(0.47),In_(0.53)As单晶外延层.本文叙述在(100)和(111)InP衬底上Ga_(0.47)In_(0.53)As/InP液相外延生长方法.用常规滑动舟工艺生长的这种外延层,其表面光亮,Ga的组分x=0.46～0.48,晶格失配率小于2.77×10~(-4),禁带宽度E_g=0.74～0.75eV.使用这种Ga_(0.47)In_(0.53)As/InP/InP(衬底)材料研制的长波长光电探测器,在波长为0.9～1.7μm范围内测出了光谱响应曲线,在1.55μm处呈现峰值.
The Ga_ (0.47), In_ (0.53) As single crystal epitaxial layer lattice matched with InP was obtained by liquid phase epitaxy.The Ga_ (0.47) In_ (0.53) As / InP liquid epitaxial growth method. The epitaxial layer grown by the conventional sliding boat process has a bright surface, the composition of Ga is 0.46-0.48, the lattice mismatch rate is less than 2.77 × 10 -4, The bandgap E_g = 0.74 ~ 0.75eV. The long-wavelength photodetector developed by using Ga_ (0.47) In_ (0.53) As / InP / InP (substrate) material was measured in the range of 0.9 ~ 1.7μm The spectral response curve showed a peak at 1.55μm.
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