【摘 要】
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用球磨法制备Bi4Ti3O12（BTO）靶材.用PLD法在Pt/TiO2/SiO2/Si基片上先分别以三种氧化物SrRuO3（SRO）、LaSrCoO3（LSCO）、LaNiO3（LNO）和Pt生成复合底电极,再在其上生长了外延取向的BTO薄
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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用球磨法制备Bi4Ti3O12（BTO）靶材.用PLD法在Pt/TiO2/SiO2/Si基片上先分别以三种氧化物SrRuO3（SRO）、LaSrCoO3（LSCO）、LaNiO3（LNO）和Pt生成复合底电极,再在其上生长了外延取向的BTO薄膜.分析了薄膜的结构和性能.结果表明,这种BTO薄膜的c轴取向得到抑制,其极化强度从0.45×10-6 C/cm2提高到0.9×10-6 C/cm2;矫顽场强从90×103 V/cm下降到50×103 V/cm.
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