3D结构低相位噪声移频锁相源设计

来源 :电子元器件与信息技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jinxiangjinshu

【摘要】

：

采用BGA植球工艺来实现上下基板互联,从而实现三维电路结构.基板采用多层类陶瓷基板,更容易实现多种器件布局以及复杂布线,构建SIP(系统集封装).这种电路结构与相同功能的传统盒体体积相比体积缩减到7.5％以内,体积大小为20×15×4.8 mm.运用梳谱,CRO及移频锁相技术实现低相位噪声,实际相位噪声测试结果与同频PCRO相同,达到–130.8dBc/Hz@1KHz,–135.5dBc/Hz@10KHz,该电路结构可以广泛用于频率源或其它微波系统小型化设计.

【作者】

：

张献武吴佳佳

【机构】

：

中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄 050051

【出处】

：

电子元器件与信息技术

【发表日期】

：

2021年9期

【关键词】

：

3D 锁相小型化 CRO 相位噪声 PDRO替代

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