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采用红外吸收光谱(TR)，俄歇能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)，二次离子质谱(SIMS)及气相色谱等方法对光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行了分析。
光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——Ⅱ光化学气相淀积氮化硅膜的性质
【摘 要】
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采用红外吸收光谱(TR)，俄歇能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)，二次离子质谱(SIMS)及气相色谱等方法对光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行了分析。
【机 构】
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上海交通大学
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1993年3期
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