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采用射频磁控溅射方法和热处理工艺制备了二氧化钒（VO2）薄膜，并制作了金属钨／VO2／金属钨三明治结构，通过改变金属钨／VO2／金属钨三明治结构中VO2薄膜与金属钨电极的接触面积，研究了VO2薄膜的电致相变特性．采用x射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、四探针和半导体参数测试仪对VO2薄膜的结晶取向、表面形貌、方块电阻和，I-V特性进行了测试．实验结果表明，所制备的VO2薄膜为具有热致相变特性的单一组分VO2纳米薄膜，在热激励下，薄膜的方块电阻相变幅度达到2个数量级；在电压的激励下，VO2薄膜